但商务拓展高级副总经理张表示，2024年设备收购后，前期主要用于与合作伙伴联合研究，不会量产。据报道，这个新的EUV系统将提供0.55的数值孔径。与以前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度将得到提高，可以实现更高分辨率的构图。
据媒体报道，TSMC的目标是在2025年量产其N2工艺，但现阶段主要是其他N3工艺的产量和良率，这被视为世界上最先进的芯片制造技术之一。随着英特尔流星湖的推迟，以及N3工艺对苹果的不尽如人意，TSMC很有可能会放弃N3工艺，明年将重心转移到N3E工艺进行量产，这属于第二版的3nm工艺。
与3纳米工艺节点不同，2纳米工艺节点将使用全栅场效应晶体管(GAAFET)晶体管。TSMC声称，与3纳米工艺相比，性能将提高10%至15%，功耗将降低25%至30%。预计N2工艺将于2024年底做好风险生产准备，2025年底进入量产。客户将在2026年收到第一批芯片。
