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外资法人预计台积电 2nm 采用 GAAFET,25 年量产

   日期:2022-09-04     浏览:0    
 在3nm时代,三星选择使用GAAFET晶体管架构来构建3nm芯片,而TSMC则延续了FinFET的方案。预计TSMC的3纳米(N3)芯片将于今年下半年投产。
 
据台湾省《经济日报》报道,虽然在3nm世代略显保守,但无论如何,鳍的宽度已经接近实际极限,接下来就会遇到瓶颈。因此,外资法人估计,TSMC先进的2nm工艺将采用GAAFET的高端架构生产2nm芯片。
 
据TSMC官网介绍,TSMC将继续与全球16家EDA厂商组成电子设计自动化联盟,其中包括全球前五大EDA厂商。
 
美国外国法律实体指出,TSMC与美国制造商在用于先进工艺的EDA软件工具方面有着非常密切的关系。其大部分高端设备和IP不仅由美国公司供应,就连KLA过程监控设备和ASML EUV光刻机也是日本、欧洲甚至中国厂商几乎无法替代的。
 
外资表示,未来五到十年,世界先进的晶圆制造工艺仍将以美国EDA软件(目前主要是新思科技、怡化电脑、西门子)和思智彩IP为核心设计或制造芯片。
 
虽然EDA工具高度集中在美国公司的名下,但其他大厂在EDA方面也不缺席。例如,联发科5月初与台大电都学院、智达科技合作,将AI人工智能技术应用于ic设计,推动了EDA的智能化发展。
 
鸿海集团也在积极布局半导体芯片设计。旗下工业富联7月中旬透露,他们正在布局半导体锁定先进封装、测试、设备与材料、电子设计自动化软件、芯片设计等领域。
 
亚洲外资法人指出,2020年全球EDA市场规模约为115亿美元,预计今年规模将逼近134亿美元。虽然不大,但直接关系到全球6000多亿美元规模的半导体产业和几十万亿美元规模的数字经济发展。
 
 
至于芯片需求的前景,TSMC表示,其2023年的增长将得到先进技术的支持,高性能计算(HPC)将成为长期增长的主要引擎。目前公司预计2023年产能利用率保持良好。
 
 
在下一代芯片生产时间方面,TSMC强调,3nm(N3)芯片将在今年下半年投产,明年上半年将贡献营收。IT之家提醒,TSMC的3nm工艺有很多衍生版本,包括N3、N3P、N3S、N3X、N3E,未来两三年将会量产。
 
对于2nm芯片(N2),TSMC重申将在2025年实现量产。2纳米芯片是TSMC的一个主要节点。该工艺将使用纳米片晶体管取代FinFET,这意味着TSMC的工艺正式进入GAA晶体管时代。其中,与3nm芯片相比,2nm芯片在相同功耗下速度快10~15%。在相同速度下,功耗降低25~30%。
 
财报显示,TSMC第二季度5nm工艺晶圆出货量占公司收入的21%(上季度为20%),而7nm工艺晶圆出货量占公司收入的30%(上季度为30%)。本季度5nm工艺的营收继续增长,但并没有超过7nm工艺带来的营收。此外,TSMC的先进工艺(7纳米及更先进的工艺)占总收入的51%,比上一季度的50%继续扩大。

特别提示:本信息由相关企业自行提供,真实性未证实,仅供参考。请谨慎采用,风险自负。


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