8月25日消息，TSMC的3nm(N3)工艺将于9月正式量产，而最新曝光的一张TSMC内部疑似PPT显示，TSMC新一代改良型3nm(N3E)工艺研发进展顺利，进度超出预期，良品率已经达到80%。
根据外媒Tomshardware最新曝光的疑似TSMC内部的PPT显示，TSMC N3E制程的开发进展顺利。基于N3E的256Mb SRAM平均良品率约为80%，移动和HPC逻辑测试芯片平均良品率约为80%。经验证的R.O .性能优于92%。
不过N3E工艺先进也不奇怪。因为今年3月有消息透露，TSMC将在3月底前完成N3e工艺设计流程，这意味着N3e将在2023年第三季度量产，预计在2023年第二季度量产。
资料显示，N3e的晶体管数量虽然比第一代3nm工艺减少了8%左右，但仍比5nm工艺增加了60%左右，减少了4个EUV掩膜，使N3e成为TSMC在成本和生产效率上更具优势的重要节点。
值得注意的是，根据外媒最近的消息，TSMC不在美国生产3nm的决定可能会改变。此前，我不想在中国台湾省之外生产最先进的制造工艺。然而，由于美国芯片法案的通过，美国政府的补贴将吸引TSMC在美国投资第二家晶圆厂，开发3纳米的先进制造工艺。然而，TSMC对此没有回应。