由于材料的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更好的导电和开关性能)。因此GaN功率器件更适合高频应用，对提高变换器的效率和功率密度非常有利。
甘新品亮相
作为全球知名的半导体分立元件制造商，史克推出了新的GaN集成电路SKGI8020和SKGI8120，以满足市场需求，为65W PD快速充电提供了更好的解决方案。
史克GaN集成IC采用三合一芯片，集成控制器、驱动器、HEMT；;支持副边控制；支持最小化PCB，减少匹配问题，实现最佳性价比。
石干集成电路采用QFN 8X8封装，露出引线框架。贴装后，裸露焊盘贴在电路板上，达到散热的目的。该芯片将高压开关的开关频率提高了1~5倍，兼顾了EMI，降低了开关损耗。
世和丰氮化镓芯片集成了无源元件贴装系统，降低了器件成本。通过集成驱动级、控制器和HEMT，可以使应用更加方便，效率得到优化，并且可以使快充适配器的体积最小化，外部元件减少15%，PCB面积减少30%。
SKGI8020
史克SKGI8020是一种AC/DC控制器方案，集成高压GaN晶体管，可实现高效率运行。该方案提供了一种高效率、低成本的反激式电源，可以将功率从70W提升到100W。
SKGI8020实现启动控制器和脉冲隔离接口，完成一次侧或二次侧的启动。使用副边可以改善瞬态响应并管理负载接口。
SKGI8120
SKGI8020和SKGI8120均针对使用基于隔离器的反馈的传统反激式架构而开发。它可以在100~500kHz范围内工作，在使用传统系统架构的同时优化变压器尺寸和功率密度。与SKGI8020相比，史克SKGI8120采用QFN4x4封装，并使用外部HEMT。
SKGI8020和SKGI8120都集成了启动调节器，支持斜坡底部开关操作，以实现高效率。它们具有待机功耗低、BOM数量少、方案成本低等优点，可应用于手机、平板电脑、笔记本充电器、USB-C电源适配器等消费电子产品。